エントリーシート

アピールしたい研究

【テーマ】 グラファイトスプリットゲートを用いた二硫化モリブデンの量子ポイントコンタクト構造の作製及び特性評価 【概要】 私は大学・大学院を通して、グラフェンや遷移金属ダイカルゴゲナイドという原子数個分の厚さしかない二次元半導体層状物質の量子自由度を調べる研究を行っています。二次元半導体層状物質の電子の通り道を100nm程度まで狭め、スピンやバレーが縮退した状態で伝導するのかを確かめています。この量子自由度を調べることで、その二次元半導体層状物質をエレクトロニクスの次の技術であるスピントロニクスやバレートロニクスに応用出来るかが分かり、物質そのものが原子数個分である事から、小型で、無散逸で、且つ処理できる情報量が多いデバイスを作る事が可能になると期待できます。大学院では二硫化モリブデンという遷移金属ダイカルゴゲナイドの一種に、半導体プロセス技術を用いて作製したグラファイトの量子構造を取り付けて研究しています。この研究の難しい所は、量子自由度の決定には伝導度を測定する必要があるのですが、二次元半導体材料に電気的接触を取る金属によって抵抗値が大きく変わり、測定に価するほどの電流が流れなくなってしまう点です。現在は、物性的側面から考えて、接触させる金属を何度も変更し、十分な電流値が流れるかを確かめる事に注力しています。

学業以外の成果（スポーツ、ボランティア等）

2013年8月:第32回全国高等学校総合体育大会アーチェリー競技大会 出場 2018年9月:第31回全日本学生フィールドアーチェリー選手権大会 出場

志望職種

第一志望:プロセスエンジニア（量産） 第二志望:プロセスインテグレーションエンジニア（量産） 第三志望:デバイスエンジニア

志望動機

私の夢は人々の生活を裏でこっそり支え、且つ世界で1番という技術に携わる事です。衣服の繊維の様に、世界中の全員が分け隔てなくその技術を有した製品を操作する事ができ、テクノロジーの恩恵を直接感じる事が出来るものを作りたいと思ってきました。これから訪れるIoT･5G社会の人々を支えるのは間違いなく半導体事業です。貴社は半導体に関する深い知識とストレージデバイスで世界を牽引してきた経験、それらを活かした技術開発力と新技術へ挑戦できる環境を有しています。そして、BtoB、BtoCのどちらにも事業を展開している為、「これが無いとダメだった」と言われる製品を作り出し、次世代社会の人々全員に供給する事が可能であると思い、貴社を強く志望しました。又、私が研究で学んでいる二次元半導体層状物質の知識・プロセス技術・エッチング技術・走査型プローブ技術を活かす事が出来るのではないかと思う事も志望理由の一つです。 入社後は自分の専門領域に囚われずに他部署の事も把握し、自身の知識と技量を深める為に積極的に様々な国籍の方と議論を交わし、次世代情報社会のニーズに沿える技術開発に尽力したいと思います。

質問したい事

貴社で活躍している人に共通する事は何でしょうか。

結果通知時期および結果通知方法